KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD)

Iis Nurhasanah; Khairurrijal Khairurrijal; Mikrajudin Abdullah; Bambang Ariwahjoedi; Maman Budiman; Sukirno Sukirno

doi:10.17146/jusami.2006.0.0.5178

KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD)

Iis Nurhasanah⁽¹⁾, Khairurrijal Khairurrijal⁽²⁾, Mikrajudin Abdullah⁽³⁾, Bambang Ariwahjoedi⁽⁴⁾, Maman Budiman⁽⁵⁾, Sukirno Sukirno⁽⁶⁾,

(1) Jurusan Fisika FMIPA - UNDIP Jl. Prof. H. Soedarto, SH, Tembalang, Semarang 50275 K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
(2) K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
(3) K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
(4) K. K. Kimia Inorganik dan Fisik, FMIPA - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
(5) K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
(6) K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132

Corresponding Author

Abstract

KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO₂ DAN Nd-CeO₂ YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD). Karakteristik arus film tipis CeO2 dan Nd-CeO₂ yang dideposisikan di atas substrat p-Si(100) menggunakan teknik Pulsed-Laser Ablation Deposition (PLAD) telah diamati melalui pengukuran arus-tegangan (I-V). Film tipis CeO₂ memiliki rapat arus yang lebih besar 2 orde dari film tipis Nd-CeO₂. Perbedaan rapat arus dapat dijelaskan berdasarkan perbedaan orientasi kristal, keadaan trap dan tinggi potensial penghalang. Mekanisme konduksi yang terjadi terutama adalah Space-Charge Limited Current (SCLC) pada tegangan rendah dan emisi Schottky pada tegangan tinggi. Diketahui pula bahwa potensial penghalang film tipis Nd-CeO₂ lebih besar dari film tipis CeO₂ dan memberikan kontribusi terhadap penurunan rapat arus.