- Home
- EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
- Nurhasanah
KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD)
Iis Nurhasanah
(1), Khairurrijal Khairurrijal
(2), Mikrajudin Abdullah
(3), Bambang Ariwahjoedi
(4), Maman Budiman
(5), Sukirno Sukirno
(6),
(1) Jurusan Fisika FMIPA - UNDIP
Jl. Prof. H. Soedarto, SH, Tembalang, Semarang 50275
K.K. Fisika Material Elektroni - ITB
Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
(2) K.K. Fisika Material Elektroni - ITB
Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
(3) K.K. Fisika Material Elektroni - ITB
Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
(4) K. K. Kimia Inorganik dan Fisik, FMIPA - ITB
Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
(5) K.K. Fisika Material Elektroni - ITB
Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
(6) K.K. Fisika Material Elektroni - ITB
Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
Corresponding Author
Abstract
KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD). Karakteristik arus film tipis CeO2 dan Nd-CeO2 yang dideposisikan di atas substrat p-Si(100) menggunakan teknik Pulsed-Laser Ablation Deposition (PLAD) telah diamati melalui pengukuran arus-tegangan (I-V). Film tipis CeO2 memiliki rapat arus yang lebih besar 2 orde dari film tipis Nd-CeO2. Perbedaan rapat arus dapat dijelaskan berdasarkan perbedaan orientasi kristal, keadaan trap dan tinggi potensial penghalang. Mekanisme konduksi yang terjadi terutama adalah Space-Charge Limited Current (SCLC) pada tegangan rendah dan emisi Schottky pada tegangan tinggi. Diketahui pula bahwa potensial penghalang film tipis Nd-CeO2 lebih besar dari film tipis CeO2 dan memberikan kontribusi terhadap penurunan rapat arus.
Keywords
Dielektrik, Nd-CeO2, karakteristik I-V, SCLC, emisi Schottky
Full Text:
PDF (Bahasa Indonesia)
DOI:
10.17146/jusami.2006.0.0.5178