PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SnO2 DENGAN METODE SPUTTERING DC UNTUK SENSOR GAS CO
(1) 
(2) 
(3) 
Corresponding Author
Abstract
PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SnO2 DENGAN METODE SPUTTERING DC UNTUK SENSOR GAS CO. Telah
dilakukan pembuatan lapisan tipis SnO2 dengan metode sputtering DC untuk gas CO. Pembuatan lapisan tipis SnO2
dilakukan dengan parameter sputtering pada tegangan elektroda 2 kV, arus 10 mA, tekanan vakum 5 × 10-2 torr, waktu
deposisi 30 menit, 60 menit dan 120 menit pada suhu substrat 250 0C, sedangkan gas sputtering adalah gas argon.
Hasil eksperimen menunjukkan bahwa lapisan tipis SnO2 yang dideposisi dengan parameter sputtering : tegangan 2
kV, arus 10 mA, tekanan 5 × 10-2 Torr, waktu 120 menit dan suhu 250 °C mempunyai sensitivitas optimun 23 % untuk
mendeteksi gas CO pada konsentrasi 106,25 ppm. Kemudian dari hasil analisis unsur lapisan SnO2 pada kondisi
optimum menggunakan SEM–EDS diperoleh Sn sebesar 31,73%, O sebesar 67,37 % atom.
dilakukan pembuatan lapisan tipis SnO2 dengan metode sputtering DC untuk gas CO. Pembuatan lapisan tipis SnO2
dilakukan dengan parameter sputtering pada tegangan elektroda 2 kV, arus 10 mA, tekanan vakum 5 × 10-2 torr, waktu
deposisi 30 menit, 60 menit dan 120 menit pada suhu substrat 250 0C, sedangkan gas sputtering adalah gas argon.
Hasil eksperimen menunjukkan bahwa lapisan tipis SnO2 yang dideposisi dengan parameter sputtering : tegangan 2
kV, arus 10 mA, tekanan 5 × 10-2 Torr, waktu 120 menit dan suhu 250 °C mempunyai sensitivitas optimun 23 % untuk
mendeteksi gas CO pada konsentrasi 106,25 ppm. Kemudian dari hasil analisis unsur lapisan SnO2 pada kondisi
optimum menggunakan SEM–EDS diperoleh Sn sebesar 31,73%, O sebesar 67,37 % atom.
DOI: 10.17146/gnd.2006.9.2.173
Copyright (c) 2018 GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.