DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS
(1) 
(2) 
Corresponding Author
Abstract
DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS. Telah dilakukan
deposisi lapisan tipis ZnO:Al pada substrat alumina menggunakan teknik DC Sputtering untuk aplikasi sensor gas.
Deposisi lapisan tipis ZnO:Al dilakukan dengan parameter proses sputtering tegangan elektroda DC sebesar 2.2 kV,
arus 10 mA dan suhu substrat 250oC, waktu deposisi divariasi 30 - 150 menit dengan interval 30 menit dan tekanan
divariasi masing-masing : 1 ´ 10-2 atm, 2 ´ 10-2 atm, 3 ´ 10-2 atm, 4 ´ 10-2 atm dan 5 ´ 10-2 atm. Dari hasil
karakterisasi diperoleh nilai resistansi terendah sebesar 64 kΩ diperoleh pada kondisi waktu deposisi 90 menit dan
tekanan operasi 4 ´ 10-2 atm. Hasil pengukuran sensitivitas menunjukkan bahwa sensor gas dari bahan ZnO:Al
mempunyai sensitivitas tertinggi terhadap gas sensor C2H5OH sebesar 24%, untuk gas NH3 sebesar 19,77% dan
untuk gas SO2 sebesar 17,53% pada 141,54 konsentrasi/volume.
deposisi lapisan tipis ZnO:Al pada substrat alumina menggunakan teknik DC Sputtering untuk aplikasi sensor gas.
Deposisi lapisan tipis ZnO:Al dilakukan dengan parameter proses sputtering tegangan elektroda DC sebesar 2.2 kV,
arus 10 mA dan suhu substrat 250oC, waktu deposisi divariasi 30 - 150 menit dengan interval 30 menit dan tekanan
divariasi masing-masing : 1 ´ 10-2 atm, 2 ´ 10-2 atm, 3 ´ 10-2 atm, 4 ´ 10-2 atm dan 5 ´ 10-2 atm. Dari hasil
karakterisasi diperoleh nilai resistansi terendah sebesar 64 kΩ diperoleh pada kondisi waktu deposisi 90 menit dan
tekanan operasi 4 ´ 10-2 atm. Hasil pengukuran sensitivitas menunjukkan bahwa sensor gas dari bahan ZnO:Al
mempunyai sensitivitas tertinggi terhadap gas sensor C2H5OH sebesar 24%, untuk gas NH3 sebesar 19,77% dan
untuk gas SO2 sebesar 17,53% pada 141,54 konsentrasi/volume.
DOI: 10.17146/gnd.2007.10.2.165
Copyright (c) 2018 GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.