DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
), Yunanto Yunanto(2), Bambang Siswanto(3),
(1)
(2)
(3)
Corresponding Author
Abstract
DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA
UNTUK SEL SURYA CIS. Telah dilakukan deposisi lapisan tipis (CdS) tipe-N di atas lapisan tipis (CuInSe2) tipe-P
pada substrat kaca, yaitu bagian dari komponen untuk sel surya CIS dengan teknik DC sputtering. Penelitian ini
bertujuan untuk mengetahui pengaruh deposisi lapisan tipis CdS di atas lapisan tipis CuInSe2 terhadap tipe konduksi.
Untuk mendapatkan lapisan tipis CdS yang optimal, maka telah dilakukan variasi parameter sputtering yaitu waktu
deposisi 30; 60; 90 dan 120 menit, tekanan gas 1,1 ´ 10-1; 1,2 ´ 10-1; 1,3x10-1dan 1,4 ´ 10-1 Torr, yang lain dibuat
tetap yaitu suhu substrat 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA. Pengukuran resistansi dan tipe konduksi digunakan
probe empat titik, Dari hasil pengukuran diperoleh bahwa nilai resistansi terendah R = 5,14 kW, pada kondisi waktu
deposisi 60 menit, tekanan gas 1,3 ´ 10-1 Torr, suhu 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA, kemudian tipe
konduksinya adalah tipe-N. Struktur kristal lapisan terorientasi pada bidang (103), (004) dan (200) untuk penumbuhan
kristal CuInSe2, dan pada bidang (100),(110) dan (220) untuk penumbuhan kristal CdS. Hasil pengamatan struktur
mikro dengan SEM diperoleh butiran-butiran yang terdistribusi cukup homogen, untuk lapisan CuInSe2 mempunyai
ketebalan lapisan 1,0 mm dan lapisan CdS mempunyai ketebalan 0,6 mm.
UNTUK SEL SURYA CIS. Telah dilakukan deposisi lapisan tipis (CdS) tipe-N di atas lapisan tipis (CuInSe2) tipe-P
pada substrat kaca, yaitu bagian dari komponen untuk sel surya CIS dengan teknik DC sputtering. Penelitian ini
bertujuan untuk mengetahui pengaruh deposisi lapisan tipis CdS di atas lapisan tipis CuInSe2 terhadap tipe konduksi.
Untuk mendapatkan lapisan tipis CdS yang optimal, maka telah dilakukan variasi parameter sputtering yaitu waktu
deposisi 30; 60; 90 dan 120 menit, tekanan gas 1,1 ´ 10-1; 1,2 ´ 10-1; 1,3x10-1dan 1,4 ´ 10-1 Torr, yang lain dibuat
tetap yaitu suhu substrat 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA. Pengukuran resistansi dan tipe konduksi digunakan
probe empat titik, Dari hasil pengukuran diperoleh bahwa nilai resistansi terendah R = 5,14 kW, pada kondisi waktu
deposisi 60 menit, tekanan gas 1,3 ´ 10-1 Torr, suhu 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA, kemudian tipe
konduksinya adalah tipe-N. Struktur kristal lapisan terorientasi pada bidang (103), (004) dan (200) untuk penumbuhan
kristal CuInSe2, dan pada bidang (100),(110) dan (220) untuk penumbuhan kristal CdS. Hasil pengamatan struktur
mikro dengan SEM diperoleh butiran-butiran yang terdistribusi cukup homogen, untuk lapisan CuInSe2 mempunyai
ketebalan lapisan 1,0 mm dan lapisan CdS mempunyai ketebalan 0,6 mm.
DOI: 10.17146/gnd.2007.10.2.164
Copyright (c) 2018 GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.
.png)
