PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B)
), Wirjoadi Wirjoadi(2), Sudjatmoko Sudjatmoko(3),
(1)
(2)
(3)
Corresponding Author
Abstract
PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B). Telah dilakukan deposisi
bahan Si:B pada permukaan substrat kaca dengan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukan untuk beberapa
parameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapat diperoleh
lapisan tipis (a-Si:H:B) yang mempunyai konduktivitas yang memadai sebagai bahan sel surya. Target adalah
bahan silikon yang telah dicampur boron dengan konsentrasi (0,1; 0,3; 0,5; 0,7) % berat. Variasi waktu deposisi
adalah (0,5 - 2) jam, tekanan gas (1,1 ´ 10-1 - 1,4 ´ 10-1) Torr dan suhu substrat (150–300) oC, sedangkan gas
reaktif hidrogen selama proses deposisi dibuat tetap sebesar 4 sccm. Pengukuran sifat listrik dilakukan dengan
probe empat titik, konduktivitas dihitung dengan pendekatan rumus matematik. Hasil penelitian menunjukkan bahwa
resistansi terkecil sebesar R = 2,73 ´ 108 W, ini diperoleh pada kondisi percobaan, waktu deposisi 1,5 jam, tekanan
gas 1,4 ´ 10-1 Torr dan suhu substrat 200 oC. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa parameter proses di atas
merupakan parameter deposisi yang optimum untuk pembuatan lapisan tipis (a-Si:H:B).
bahan Si:B pada permukaan substrat kaca dengan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukan untuk beberapa
parameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapat diperoleh
lapisan tipis (a-Si:H:B) yang mempunyai konduktivitas yang memadai sebagai bahan sel surya. Target adalah
bahan silikon yang telah dicampur boron dengan konsentrasi (0,1; 0,3; 0,5; 0,7) % berat. Variasi waktu deposisi
adalah (0,5 - 2) jam, tekanan gas (1,1 ´ 10-1 - 1,4 ´ 10-1) Torr dan suhu substrat (150–300) oC, sedangkan gas
reaktif hidrogen selama proses deposisi dibuat tetap sebesar 4 sccm. Pengukuran sifat listrik dilakukan dengan
probe empat titik, konduktivitas dihitung dengan pendekatan rumus matematik. Hasil penelitian menunjukkan bahwa
resistansi terkecil sebesar R = 2,73 ´ 108 W, ini diperoleh pada kondisi percobaan, waktu deposisi 1,5 jam, tekanan
gas 1,4 ´ 10-1 Torr dan suhu substrat 200 oC. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa parameter proses di atas
merupakan parameter deposisi yang optimum untuk pembuatan lapisan tipis (a-Si:H:B).
DOI: 10.17146/gnd.2005.8.2.183
Copyright (c) 2018 GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.
.png)
