FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING

Mohammad Mustafa Sarinanto

doi:10.17146/jusami.2000.1.2.5324

FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING

Mohammad Mustafa Sarinanto⁽¹⁾,

(1) Direktorat Teknologi Informasi dan Elektronika BPPT Gd 11 BPPT, Lt.21, JI.M.H.Thamrin no.8 Jakarta Pusat 10340

Corresponding Author

Abstract

FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS₂ MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING. Lapisan tipis CuInS₂ telah dipreparasi di atas Pyrex slide glass dengan menggunakan metoda reactive sputtering, dengan temperatur substrat 200-350°C dimana sebagai gas pereaksi digunakan CS₂. Kecepatan pertumbuhannya adalah 0,5 — 1 pm/jam. Film kristal yang diperoleh mempunyai orientasi (112) sejajar dengan substrat.