1. Home
  2. Vol 1, No 2: FEBRUARI 2000
  3. Sarinanto

FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING

Mohammad Mustafa Sarinanto(1),


(1) Direktorat Teknologi Informasi dan Elektronika BPPT Gd 11 BPPT, Lt.21, JI.M.H.Thamrin no.8 Jakarta Pusat 10340
Corresponding Author

Abstract


FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING. Lapisan tipis CuInS2 telah dipreparasi di atas Pyrex slide glass dengan menggunakan metoda reactive sputtering, dengan temperatur substrat 200-350°C dimana sebagai gas pereaksi digunakan CS2. Kecepatan pertumbuhannya adalah 0,5 — 1 pm/jam. Film kristal yang diperoleh mempunyai orientasi (112) sejajar dengan substrat.

Keywords


CuInS2, reactive sputtering, di fraksi sinar-x

Full Text: PDF (Bahasa Indonesia)

DOI: 10.17146/jusami.2000.1.2.5324