FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING
![](https://obsesi.or.id/public/amplop.jpg)
(1) Direktorat Teknologi Informasi dan Elektronika BPPT Gd 11 BPPT, Lt.21, JI.M.H.Thamrin no.8 Jakarta Pusat 10340
![](https://obsesi.or.id/public/amplop.jpg)
Abstract
FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING. Lapisan tipis CuInS2 telah dipreparasi di atas Pyrex slide glass dengan menggunakan metoda reactive sputtering, dengan temperatur substrat 200-350°C dimana sebagai gas pereaksi digunakan CS2. Kecepatan pertumbuhannya adalah 0,5 — 1 pm/jam. Film kristal yang diperoleh mempunyai orientasi (112) sejajar dengan substrat.
Keywords
CuInS2, reactive sputtering, di fraksi sinar-x
DOI: 10.17146/jusami.2000.1.2.5324