- Home
- EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
- Subagio
STUDI STRUKTURMIKRO DAN MORFOLOGI FILM InXGa1-XN YANG DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE (0006) DENGAN METODE MOCVD BERBANTUAN PLASMA
A. Subagio
(1), H. Sutanto
(2), E. Supriyanto
(3), Irzaman Irzaman
(4), M. Budiman
(5), P. Arifin
(6), Sukirno Sukirno
(7), M. Barmawi
(8),
(1) Fisika Material Elektronik - ITB
Jl Ganesha 10, Bandung 40132
Jurusan Fisika FMIPA - UNDIP
Jl. Prof. H. Soedarto, SH, Tembalang, Semarang 50275
(2) Fisika Material Elektronik - ITB
Jl Ganesha 10, Bandung 40132
Jurusan Fisika FMIPA - UNDIP
Jl. Prof. H. Soedarto, SH, Tembalang, Semarang 50275
(3) Fisika Material Elektronik - ITB
Jl Ganesha 10, Bandung 40132
Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Negeri Jember
Kampus Tegalboto, Jl. Kalimantan III/24, Jember 68121
(4) Jurusan Fisika FMIPA - IPB
Kampus IPB, Darmaga Bogor
(5) Fisika Material Elektronik - ITB
Jl Ganesha 10, Bandung 40132
(6) Fisika Material Elektronik - ITB
Jl Ganesha 10, Bandung 40132
(7) Fisika Material Elektronik - ITB
Jl Ganesha 10, Bandung 40132
(8) Fisika Material Elektronik - ITB
Jl Ganesha 10, Bandung 40132
Corresponding Author
Abstract
STUDI STRUKTURMIKRO DAN MORFOLOGI FILM InXGa1-XN YANG DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE (0006) DENGAN METODE MOCVD BERBANTUAN PLASMA. Telah ditumbuhkan film tipis InXGa1-XN di atas substrat sapphire (0006) dengan metode MOCVD berbantuan plasma. Penumbuhan dilakukan pada suhu 650 oC dengan variasi komposisi uap TMIn (xv) sebesar 10 %, 20 %, 30 %, 50 % dan 100 %. Hasil analisis XRD menunjukkan fenomena pemisahan fasa yang disebabkan oleh ketidaksesuaian kisi antara InN dan GaN pada film InX1-XN dengan komposisi padatan indium (In) 0,02 dan 0,18. Proses nukleasi masih terjadi pada film-film ini, dimana tingkat kekasaran relatif masih tinggi sekitar 150 nm. Film dengan komposisi padatan indium (x) 0,28 dan 0,61 menunjukkan adanya kecendurungan fasa tunggal pada InGaN (0002). Mekanisme penggabungan (coalescence) grain terjadi pada film-film ini dengan ditandai oleh ekspansi grain secara lateral. Hal ini menyebabkan tingkat kekasaran permukaan relatif lebih rendah sekitar 100 nm.
Keywords
Film InxGa1-xN, MOCVD berbantuan plasma, morfologi permukaan
Full Text:
PDF (Bahasa Indonesia)
DOI:
10.17146/jusami.2006.0.0.5181