STUDI STRUKTURMIKRO DAN MORFOLOGI FILM InXGa1-XN YANG DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE (0006) DENGAN METODE MOCVD BERBANTUAN PLASMA

A. Subagio; H. Sutanto; E. Supriyanto; Irzaman Irzaman; M. Budiman; P. Arifin; Sukirno Sukirno; M. Barmawi

doi:10.17146/jusami.2006.0.0.5181

STUDI STRUKTURMIKRO DAN MORFOLOGI FILM InXGa1-XN YANG DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE (0006) DENGAN METODE MOCVD BERBANTUAN PLASMA

A. Subagio⁽¹⁾, H. Sutanto⁽²⁾, E. Supriyanto⁽³⁾, Irzaman Irzaman⁽⁴⁾, M. Budiman⁽⁵⁾, P. Arifin⁽⁶⁾, Sukirno Sukirno⁽⁷⁾, M. Barmawi⁽⁸⁾,

(1) Fisika Material Elektronik - ITB Jl Ganesha 10, Bandung 40132 Jurusan Fisika FMIPA - UNDIP Jl. Prof. H. Soedarto, SH, Tembalang, Semarang 50275
(2) Fisika Material Elektronik - ITB Jl Ganesha 10, Bandung 40132 Jurusan Fisika FMIPA - UNDIP Jl. Prof. H. Soedarto, SH, Tembalang, Semarang 50275
(3) Fisika Material Elektronik - ITB Jl Ganesha 10, Bandung 40132 Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Negeri Jember Kampus Tegalboto, Jl. Kalimantan III/24, Jember 68121
(4) Jurusan Fisika FMIPA - IPB Kampus IPB, Darmaga Bogor
(5) Fisika Material Elektronik - ITB Jl Ganesha 10, Bandung 40132
(6) Fisika Material Elektronik - ITB Jl Ganesha 10, Bandung 40132
(7) Fisika Material Elektronik - ITB Jl Ganesha 10, Bandung 40132
(8) Fisika Material Elektronik - ITB Jl Ganesha 10, Bandung 40132

Corresponding Author

Abstract

STUDI STRUKTURMIKRO DAN MORFOLOGI FILM In_XGa_1-XN YANG DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE (0006) DENGAN METODE MOCVD BERBANTUAN PLASMA. Telah ditumbuhkan film tipis In_XGa_1-XN di atas substrat sapphire (0006) dengan metode MOCVD berbantuan plasma. Penumbuhan dilakukan pada suhu 650 ^oC dengan variasi komposisi uap TMIn (xv) sebesar 10 %, 20 %, 30 %, 50 % dan 100 %. Hasil analisis XRD menunjukkan fenomena pemisahan fasa yang disebabkan oleh ketidaksesuaian kisi antara InN dan GaN pada film In_X_1-XN dengan komposisi padatan indium (In) 0,02 dan 0,18. Proses nukleasi masih terjadi pada film-film ini, dimana tingkat kekasaran relatif masih tinggi sekitar 150 nm. Film dengan komposisi padatan indium (x) 0,28 dan 0,61 menunjukkan adanya kecendurungan fasa tunggal pada InGaN (0002). Mekanisme penggabungan (coalescence) grain terjadi pada film-film ini dengan ditandai oleh ekspansi grain secara lateral. Hal ini menyebabkan tingkat kekasaran permukaan relatif lebih rendah sekitar 100 nm.