PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK

User

Article Tools

Email this article (Login required)

Email the author (Login required)

About The Authors

Mursal Mursal
Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132
Indonesia

I. Usman
Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132 Jurusan Fisika FPMIPA - Universitas Haluoleo Kendari
Indonesia

T. Winata
Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132
Indonesia

Sukirno Sukirno
Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132
Indonesia

M. Barmawi
Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132
Indonesia

Journal Content
Browse