EFEK IMPLANTASI ION Ni+ DAN Ar+ TERHADAP SIFAT MAGNETIK LAPISAN TIPIS C/Si

Abstract

EFEK IMPLANTASI ION Ni+ DAN Ar+ TERHADAP SIFAT MAGNETIK LAPISAN TIPISC/Si. Telah dilakukan studi efek implan ion Ni+ dan ion Ar+ terhadap sifat magnetik lapisan tipisC/Si (100). Implantasi ion Ni+ dan ion Ar+ terhadap lapisan tipis C/Si dilakukan dengan dosissampai 5 x 1016 ion/cm2. Hasil identifikasi XRD menunjukkan adanya puncak intensitas difraksiC (002) dan Ni (100). Implantasi ion dapat menyebabkan penurunan puncak intensitas difraksiC (002). Puncak intensitas difraksi C (002) semakin menurun seiring dengan bertambahnyadosis ion, sedangkan puncak intensitas difraksi Ni (100) semakin tinggi seiring dengan bertambahnyadosis ion. Hasil ini menunjukkan telah terjadi distribusi atom Ni pada permukaanlapisan tipis C/Si. Hasil pengamatan morfologi permukaan menggunakan SEM/EDS,menunjukkan adanya atom Ni yang tersebar pada permukaan lapisan tipis C/Si. Hasilpengukuran sifat magnetik dengan metode VSM (Vibrating Sample Magnetometer)menunjukkan adanya perubahan sifat magnetik pada lapisan tipis C/Si dengan penambahandosis implan. Sifat magnetik ini meningkat seiring dengan penambahan dosis ion Ni+, yangditunjukkan dengan peningkatan nilai-nilai Ms (saturated magnetization), Mr (remanentmagnetization) dan Hc (coercive field), masing-masing sebesar 28%, 21% dan 42%. Hasilpengukuran sifat GMR dengan Four Point Probe juga menunjukkan peningkatan nilai nisbahMR sekitar 26% pada medan magnet 7,5 kOe seiring dengan peningkatan dosis ion.

Kata kunci : lapisan tipis C/Si, implantasi ion, sifat magnetik