EFEK GMR (GIANT MAGNETORESISTANCE) PADA LAPISAN TIPIS MAGNETIK FeSiAl YANG DIHASILKAN DENGAN TEKNIK SPUTTERING

Abstract

EFEK GMR (GIANT MAGNETORESISTANCE) PADA LAPISAN TIPIS MAGNETIK FeSiAl YANG DIHASILKAN DENGAN TEKNIK SPUTTERING. Telah dilakukan pembuatan lapisan tipis FeSiAl dengan, metodapin hole menggunakan teknik RF sputtering. Tujuan penelitian ini adalah untuk membuat lapisan tipis magnetik yang terdiri dari bahan magnetik, nonmagnetik dan semikonduktor yang mempunyai sifat GMR. Senyawa FeSiAl diperoleh dengan menggunakan metoda pin hole, dimana metoda ini lebih sederhana dibandingkan dengan metoda multi layer maupun target paduan. Target pin hole Si, Al dan dan target utama Fe, ditembaki dengan ion argon berasal dari gas argon yang telah terionisasi oleh tegangan RF. Penelitian efek GMR dilakukan dengan mengukur tahanan lapisan tipis magnetik dengan ohm meter menggunakan metoda probe empat titik, sebagai fungsi medan magnet luar. Analisis unsur dilakukan dengan menggunakan metoda Analisa Reaksi Inti. Dari hasil pengukuran yang dilakukan didapatkan hasil efek GMR yang paling baik dengan nisbah GMR 34 %. Perubahan tahanan lapisan tipis paling besar dari 7,551 ohm menjadi 2,567 ohm terjadi pada kuat medan magnet 0 gauss sampai dengan 60 gauss Parameter yang menghasilkan efek GMR paling baik timbul pada perbandingan komposisi unsur Fe 83:%, Si 6%, Al 7%, daya RF 185 watt, tekanan 9x10^{-2<>/sup torr dan waktu deposisi 3O menit.}