STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD

Heri Sutanto; Agus Subagio; Edy Supriyanto; Pepen Arifin; Sukirno Sukirno; Maman Budiman; Moehamad Barmawi

doi:10.17146/jusami.2006.0.0.5183

STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD

Heri Sutanto⁽¹⁾, Agus Subagio⁽²⁾, Edy Supriyanto⁽³⁾, Pepen Arifin⁽⁴⁾, Sukirno Sukirno⁽⁵⁾, Maman Budiman⁽⁶⁾, Moehamad Barmawi⁽⁷⁾,

(1) Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132 Jurusan Fisika FMIPA - UNDIP Jl. Prof. H. Soedarto, SH Tembalang, Semarang 50275
(2) Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132 Jurusan Fisika FMIPA - UNDIP Jl. Prof. H. Soedarto, SH Tembalang, Semarang 50275
(3) Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132 Jurusan Fisika, Universitas Negeri Jember Kampus Tegalboto, Jl. Kalimantan III/24, Jember 68121
(4) Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132
(5) Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132
(6) Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132
(7) Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132

Corresponding Author

Abstract

STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS Al_xGa_1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD. Film tipis Al_xGa_1-xN telah ditumbuhkan di atas substrat Si tipe-p dengan menggunakan teknik PA-MOCVD. Film tipis Al_xGa_1-xN ditumbuhkan dengan parameter-parameter: suhu substrat, laju alir N₂, TMGa dan TMAl berturut-turut sebesar 700 oC; 90 sccm; 0,1 sccm dan 0,01sccm hingga 0,04 sccm. Film polikristal Al_xGa_1-xN yang ditumbuhkan mempunyai struktur heksagonal dengan bidang difraksi dominan (1010) dan (1011) hingga konsentrasi Al sebesar 6,78%. Diperoleh nilai kekasaran permukaan film dari pengukuran SPM pada range 11,44 nm sampai dengan 27,20 nm. Morfologi permukaan film semakin halus dengan peningkatan konsentrasi Al pada film. Penurunan nilai konstanta kisi hasil pengujian XRD terjadi karena kekosongan nitrogen pada film. Peningkatan konsentrasi Al pada film menyebabkan penurunan laju penumbuhan film tipis Al_xGa_1-xN yang terbentuk.