PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS OKSIDA TIMAH DENGAN TEKNIK CVD-PENGKABUT ULTRASONIK

Abstract

PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS OKSIDA TIMAH DENGAN TEKNIK CVD-PENGKABUT ULTRASONIK. Lapisan tipis konduktif – anti reflektif Oksida Timah/SnO₂ dengan ketebalan sekitar 100 nm telah ditumbuhkan pada substrat silikon orientasi kristal (100) menggunakan teknik CVD/Chemical Vapour Deposition-pengkabut ultrasonik. Pada sistem pelapisan menggunakan pengkabut ultrasonik ini, suatu transduser piezoelektrik dicelupkan ke dalam tabung berisi cairan pembentuk lapisan/precursor untuk menggetarkan dan memecah partikel cairan sehingga menjadi kabut/fog yang kemudian dialirkan ke suatu ruang terisolasi dengan sistem pemanas tempat cuplikan substrat diletakkan; melalui suatu nozzle atau bisa juga suatu reduced tube. Proses pelapisan dilakukan pada rentang suhu 300 ^oC sampai dengan 397 ^oC. dengan Nitrogen sebagai gas pembawa. Proses karakterisasi dilakukan dengan mengamati sifat listrik dan optis dengan four point probe dan spektrometer optik; memeriksa struktur kristal dengan difraksi sinar-X serta mengamati morfologi permukaan lapisan dengan SEM. Hasil karakterisasi menghasilkan harga resistivitas dalam orde 10^-2 ohm-cm, penurunan refleksi dari 26% ke 2% setelah pelapisan serta terbentuknya struktur polikristalin oksida timah diatas substrat silikon.