FILM TIPIS RUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD:PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL

Horasdia Saragih; Ridwan Ridwan; Mujamilah Mujamilah; Pepen Arifin; Mohamad Barmawi

doi:10.17146/jusami.2005.7.1.5018

FILM TIPIS RUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD:PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL

Horasdia Saragih⁽¹⁾, Ridwan Ridwan⁽²⁾, Mujamilah Mujamilah⁽³⁾, Pepen Arifin⁽⁴⁾, Mohamad Barmawi⁽⁵⁾,

(1) Laboratorium Fismatel, Jurusan Fisika - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung Jurusan Fisika, Universitas Pattimura Ambon
(2) Puslitbang Iptek Bahan (P3IB) - BATAN Kawasan Puspiptek, Serpong 15314 , Tangerang
(3) Puslitbang Iptek Bahan (P3IB) - BATAN Kawasan Puspiptek, Serpong 15314 , Tangerang
(4) Laboratorium Fismatel, Jurusan Fisika - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung
(5) Laboratorium Fismatel, Jurusan Fisika - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung

Corresponding Author

Abstract

FILM TIPIS RUTILE CO-TiO₂ YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD:PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL. Film tipis Co-TiO₂ telah ditumbuhkan dengan teknik Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) di atas substrat Si(100) dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium tetra-isopropoxide [Ti(OCH(CH₃)₂)₄] dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) cobalt (III), Co(TMHD)₃. Filmtipis dengan orientasi bidang tunggal rutile (002) dihasilkan dengan menggunakan parameter penumbuhan sebagai berikut: suhu bubbler (T_b(Ti)) = 50^oC, suhu substrat (T_s) = 450^oC, tekanan bubbler (P_b(Ti)) = 260 Torr, laju aliran gas Ar(_Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O₂ = 60 sccm, tekanan total penumbuhan (P_Tot) = 2 Torr dan laju aliran Ar(Co) ≤ 60 sccm. Film tipis dengan orientasi bidang tunggal ini dianil pada suhu 450^oC, 500^oC dan 550^oC selama masing-masing 3 jam. Hasil penganilan dapat memperbaiki bidang kristal rutile (002). Perbaikan ini ditunjukkan oleh nilai FWHM puncak rutile (002) yang semakin kecil dengan bertambahnya nilai suhu penganilan. Penambahan bidang-bidang kristal tidak terjadi oleh penganilan sampai pada suhu 550^oC. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis Co-TiO₂ memiliki kestabilan yang baik terhadap perubahan termal lingkungannya.