1. Home
  2. Vol 7, No 2
  3. Saragih

SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD

Horasdia Saragih(1), Ridwan Ridwan(2), Mujamilah Mujamilah(3), Pepen Arifin(4), Mohamad Barmawi(5),


(1) Departemen Fisika, FMIPA - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung Jurusan Fisika, Universitas Pattimura Ambon
(2) Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) - BATAN Kawasan Puspiptek Serpong15314, Tangerang
(3) Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) - BATAN Kawasan Puspiptek Serpong15314, Tangerang
(4) Departemen Fisika, FMIPA - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung
(5) Departemen Fisika, FMIPA - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung
Corresponding Author

Abstract


SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD. Film tipis TiO2-Co telah berhasil ditumbuhkan dengan teknik MOCVD dengan menggunakan prekursor titanium (IV) isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] 99,99%dan serbuk tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) cobalt (III) [Co(TMHD)3] 99%. Parameter penumbuhan, seperti: suhu bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 50oC, suhu substrat 450oC, tekanan bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 260 Torr, laju aliran gas argon ke bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 100 sccm, laju aliran gas O2 60 sccm dan tekanan total penumbuhan 2 Torr, ditemukan menjadi parameter penumbuhan yang paling optimal. Struktur kristal film sangat dipengaruhi oleh kehadiran dan konsentrasi atom Co. Ukuran butiran dan kekasaran permukaan film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co. Kemampuan larut (solubility) atom Co ke dalam matrik kisi TiO2 teramati mulai bersaturasi pada kandungan Co sekitar 12%. Film tipis TiO2-Co menunjukkan sifat feromagnetisme pada suhu ruang. Kehadiran elemen magnetik Co tidak menghilangkan karakteristik semikonduktif TiO2. Namun, resistansi film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co.

Keywords


Film tipis, TiO2-Co, semikonduktor feromagnetik, Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)

Full Text: PDF (Bahasa Indonesia)

DOI: 10.17146/jsmi.2006.7.2.5002