PENGARUH DOPANT TERHADAP KONDUKTIVITAS DAN STRUKTUR ELEKTRONIK POLI (HEKSIL TIOFEN)
), Tuti Susilawati(2), Vicka P. Lestari(3), Yusi S. Syamsiar(4), Lukman Nulhakim(5), Anita Anggraeni(6), Wildan Abdussalam(7),
(1) Jurusan Fisika, FMIPA - UNPAD Kampus Jatinangor, Sumedang 45363, Jawa Barat
(2) Jurusan Fisika, FMIPA - UNPAD Kampus Jatinangor, Sumedang 45363, Jawa Barat
(3) Jurusan Fisika, FMIPA - UNPAD Kampus Jatinangor, Sumedang 45363, Jawa Barat
(4) Jurusan Fisika, FMIPA - UNPAD Kampus Jatinangor, Sumedang 45363, Jawa Barat
(5) Jurusan Fisika, FMIPA - UNPAD Kampus Jatinangor, Sumedang 45363, Jawa Barat
(6) Jurusan Fisika, FMIPA - UNPAD Kampus Jatinangor, Sumedang 45363, Jawa Barat
(7) Jurusan Fisika, FMIPA - UNPAD Kampus Jatinangor, Sumedang 45363, Jawa Barat
Corresponding Author
Abstract
PENGARUH DOPANT TERHADAP KONDUKTIVITAS DAN STRUKTUR ELEKTRONIK POLI (HEKSIL TIOFEN). Poli(3-heksil tiofen) merupakan polimer terkonjugasi yang memiliki sifat optik dan listrik yang menarik dan memiliki potensi aplikasi sebagai bahan solar sel, fotodioda dan transistor organik. Untuk kepentingan aplikasi tersebut, diperlukan bahan polimer dengan tingkat konduksi listrik tertentu, yang besarnya dapat dikontrol melalui proses doping. Dalam penelitian ini dilakukan studi doping poli(3-heksil tiofen) dengan menggunakan dopant perklorat (HClO4) dan dianalisis pengaruhnya terhadap konduktivitas dan struktur elektronik bahan yang bersangkutan. Konduktivitas bahan yang diukur dengan teknik four line probe menunjukkan adanya peningkatan karena pengaruh dopant. Selain itu, hasil pengukuran dengan spektroskopi UV-Vis menunjukkan konsentrasi dopant mempengaruhi spektrum bahan poli(3-heksil tiofen). Konsentrasi dopant yang tinggi (lebih besar dari 0,25 M) menimbulkan puncak absorpsi baru pada panjang gelombang 750 nm, yang diinterpretasikan sebagai munculnya pita energi baru diantara band gap.
Keywords
Polimer terkonjugasi, Poli(3-heksil tiofen), Dopant, Struktur elektronik
DOI: 10.17146/jsmi.2008.9.2.4769
Email this article 
.png)
