PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODE PULSED LASER DEPOSITION

I Gusti Agung Putra Adnyana; Komang Ngurah Suarbawa; I Ketut Sukarasa

doi:10.17146/jsmi.2009.11.1.4560

PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODE PULSED LASER DEPOSITION

I Gusti Agung Putra Adnyana⁽¹⁾, Komang Ngurah Suarbawa⁽²⁾, I Ketut Sukarasa⁽³⁾,

(1) Departemen Fisika, FMIPA-Universitas Udayana Kampus Bukit Jimbaran, Buleleng, Denpasar, Bali
(2) Departemen Fisika, FMIPA-Universitas Udayana Kampus Bukit Jimbaran, Buleleng, Denpasar, Bali
(3) Departemen Fisika, FMIPA-Universitas Udayana Kampus Bukit Jimbaran, Buleleng, Denpasar, Bali

Corresponding Author

Abstract

PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODE PULSED LASER DEPOSITION. Telah dilakukan studi pengaruh ketebalan lapisan penyangga Galium Nitrida, GaN terhadap struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metode Pulsed Laser Deposition (PLD). Lapisan penyangga ditumbuhkan pada suhu 450ºC dan laju aliran nitrogen 100 sccm dengan waktu deposisi divariasikan antara 15 menit sampai 45 menit. Film yang diperoleh dikarakterisasi dengan Profilometer DEKTAK IIA, Difraktometer sinar-X dan Spektroskopi UV-Vis. Ketebalan lapisan penyangga berpengaruh
terhadap kualitas kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan di atasnya. Dari hasil analisis pola difraksi sinar-X dan spektrum UV-Vis, diketahui bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga dengan ketebalan 184,6Å cenderungmemiliki orientasi tunggal (0002) yang lebih baik dengan Full Width at Half-Maximum (FWHM) 0,9º dan energi celah pita (Eg) = 3,4 eV dibanding film tipis GaN dengan ketebalan lapisan penyangga 370,2 Å dan 560 Å.