PENGARUH LAJU ALIRAN GAS N2 TERHADAP KARAKTERISTIK KRISTAL FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL-GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN COATING

Abstract

PENGARUH LAJU ALIRAN GAS N2 TERHADAP KARAKTERISTIK KRISTAL FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL-GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN COATING. Telah ditumbuhkan film tipis GaN di atas substrat silikon (111) dengan metode sol-gel menggunakan teknik spin-coating. Proses penumbuhan film tipis GaN dilakukan pada laju putaran spinner 1000 rpm, suhu penguapan pelarut 100 °C, suhu dekomposisi 400 °C, suhu deposisi 850 °C. Dua buah sampel film tipis GaN telah ditumbuhkan pada laju aliran gas nitrogen sebesar 16 sccm dan 40 sccm dengan molaritas Ga2O3 1,33 M. Film tipis GaN dikarakterisasi struktur kristalnya dengan menggunakan X-Ray Diffractometer (XRD). Hasil karakterisasi film tipis GaN dengan XRD menunjukkan kondisi optimal pada film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan molaritas Ga₂O₃ 1,33 M dan laju aliran gas nitrogen 40 sccm. Film tipis GaN mempunyai struktur heksagonal dengan parameter kisi a = (3,116 ± 0,035)Å dan c = (5,170 ± 0,053)Å.