PENGUJIAN SIFAT FEROELEKTRIK FILM Ba0,5Sr0,5TiO3 DOPING Nb2O5 (BNST)

Pratitis Wahyu Kusuma Anggraini, Muhammad Hikam

DOI: http://dx.doi.org/10.17146/jusami.2006.0.0.5171

Abstract


PENGUJIAN SIFAT FEROELEKTRIK FILM Ba0,5Sr0,5TiO3 DOPING Nb2O5 (BNST). Film BST 1M dan BST 1M doping Nb2O5 dengan variasi % doping (1%, 2%, 4%) dideposisi pada substrat Si (111) dan gelas corning dengan metode penumbuhan CSD (Chemical Solution Deposition) dengan teknik spin- coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Film yang terbentuk dilanjutkan dengan proses sintering pada temperatur 450ºC untuk substrat corning dan 850ºC untuk substrat Si (111) selama 3 jam. Sistem kristal dan orientasi film BST dan BNST diuji dengan difraksi sinar-X dan dilakukan penghalusan (refinement) dengan analisis Rietveld yaitu menggunakan GSAS. Hasil penghalusan dengan GSAS diperoleh fasa BST yang terkandung pada film BST 1M, BNST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat silikon) bersesuaian dengan Ba0,5Sr0,5TiO3 (ICDD) dengan sistem kristal kubik dan parameter kisi (a) berturut-turut 3,944Å, 3,949Å, 3,950Å, 3,904Å. Sedangkan untuk film BNST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat corning) bersesuaian dengan BaTiO3 (ICDD) dengan sistem kristal tetragonal dan parameter kisi (a=b) berturut-turut 3,997Å, 3,987Å, 3,996Å, parameter kisi (c) 4,051Å, 4,041Å, 4,058Å. Harga polarisasi spontan film pada substrat Si (111) untuk BNST 1M 1% adalah 72,100µC.cm-2, BNST 1M 2% adalah 71,680µC.cm-2 dan BNST 1M 4% adalah 51,440µC.cm-2. Sedangkan harga polarisasi spontan film pada substrat corning untuk BNST 1M 1% adalah 121,440µC.cm-2, BNST 1M 2% adalah 121,450µC.cm-2 dan BNST 1M 4% adalah 119,690µC.cm-2.

Keywords


BST, XRD, metode CSD, ferroelektrik, polarisasi

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


Copyright (c) 2018 Jurnal Sains Materi Indonesia

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.


Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency of Indonesia
Phone : +62 21-758 74261, +62 21-756 2860 ext. 4009-4010, Fax.: +62 21-756 0926, e-mail: jusami@batan.go.id



preview previewpreviewpreviewpreviewpreviewpreviewpreviewpreview previewpreview

View My Stats
Creative Commons LicenseCopyright © 2019 Jusami | Indonesian Journal of Materials Science. This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License (CC BY-NC-SA 4.0).