PENGARUH DOPANT TERHADAP KONDUKTIVITAS DAN STRUKTUR ELEKTRONIK POLI (HEKSIL TIOFEN)

Fitrilawati Fitrilawati, Tuti Susilawati, Vicka P. Lestari, Yusi S. Syamsiar, Lukman Nulhakim, Anita Anggraeni, Wildan Abdussalam

DOI: http://dx.doi.org/10.17146/jsmi.2008.9.2.4769

Abstract


PENGARUH DOPANT TERHADAP KONDUKTIVITAS DAN STRUKTUR ELEKTRONIK POLI (HEKSIL TIOFEN). Poli(3-heksil tiofen) merupakan polimer terkonjugasi yang memiliki sifat optik dan listrik yang menarik dan memiliki potensi aplikasi sebagai bahan solar sel, fotodioda dan transistor organik. Untuk kepentingan aplikasi tersebut, diperlukan bahan polimer dengan tingkat konduksi listrik tertentu, yang besarnya dapat dikontrol melalui proses doping. Dalam penelitian ini dilakukan studi doping poli(3-heksil tiofen) dengan menggunakan dopant perklorat (HClO4) dan dianalisis pengaruhnya terhadap konduktivitas dan struktur elektronik bahan yang bersangkutan. Konduktivitas bahan yang diukur dengan teknik four line probe menunjukkan adanya peningkatan karena pengaruh dopant. Selain itu, hasil pengukuran dengan spektroskopi UV-Vis menunjukkan konsentrasi dopant mempengaruhi spektrum bahan poli(3-heksil tiofen). Konsentrasi dopant yang tinggi (lebih besar dari 0,25 M) menimbulkan puncak absorpsi baru pada panjang gelombang 750 nm, yang diinterpretasikan sebagai munculnya pita energi baru diantara band gap.

Keywords


Polimer terkonjugasi, Poli(3-heksil tiofen), Dopant, Struktur elektronik



Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.


Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency of Indonesia
Phone : +62 21-758 74261, +62 21-756 2860 ext. 4009-4010, Fax.: +62 21-756 0926, e-mail: jusami@batan.go.id



preview previewpreviewpreviewpreviewpreviewpreviewpreviewpreview previewpreview

View My Stats
Creative Commons LicenseCopyright © 2019 Jusami | Indonesian Journal of Materials Science. This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License (CC BY-NC-SA 4.0).